سامانه بازاریابی بهترین فایل های ایرونی

جستجو پیشرفته بهترین فایل های ایرانی از سایتهای مختلف علمی

سامانه بازاریابی بهترین فایل های ایرونی

جستجو پیشرفته بهترین فایل های ایرانی از سایتهای مختلف علمی

تحقیق کاربرد رایانه برق


دسته بندی : برق ،

فرمت فایل:  Image result for word ( قابلیت ویرایش و اماده چاپ

فروشگاه کتاب : مرجع فایل 

 


 قسمتی محتوای متن ...

 

تعداد صفحات : 17 صفحه

مدار شماره 1 مدارهای زیر الف) پتانسیل گره ب) جریان شاخه ج) توان هر یک عناصر بدست اورید.
ابتدا برنامه اجرا کرده وقتی محیط کار اماده مدار رسم کنیم.
برای ترسیم مدار کتابخانه Analog المان R (مقاومت محیط ترسیم قرار دهیم بعد همین کتابخانه منبع جریان وابسته به جریان F محیط کار قرار دهیم کتابخانه Source مربوط منابع باشد منبع ولتاژ DC نام VDC مدار قرار دهیم بعد استفاده Place wire مدار رسم کنیم زمین نام O/Source مشخص شده جای خود قرار داده تغییر مقدار مقاومت مقدار منبع دبل کلیک کردن روی مقدار پیش فرض مقدار نیاز واردمی نماییم تعیین ضریب وابستگی منابع وابسته دبل کلیک کردن روی انها قسمت Gain ضریب وابستگی مشخص کنیم سپس خارج شویم بعد ترسیم باید انالیز کنیم. بعد وارد قسمت محیط انالیز شویم قسمت Analyses type نوع انالیز مشخص کنیم بعد گزینه Run اجرا کنیم ومی توان ولتاژ جریان توان راباانتخاب گزینه V I W مشاهده نمود. 1 پتانسیل گره 2 جریان شاخه 3 توان عناصر مدار شماره 2 بعد اجرای برنامه هنگامی محیط کار امداه مدار رسم کرده پتانسیل گره جریان شاخه توان عناصر انالیز حوزه زمان Time domain : توسط انالیز توان پتانسیل گره ها، جریان هر المان توان المان توسط شکل موج ملاحظه کرد ترانزیستور مدار شکل زیر توسط انالیز Bias point نقطه کار شامل IB، IE، IC، VBC VCE بدست اورید.
سپس مدار حوزه زمان انالیز نموده موارد خواسته شده اندازه گیری کنید. ترسیم مدار کتابخانه Analog مقاومت R خازن C-elect کتابخانه Source منبع ولتاژ سینوسی (VSIN) ترانزیستور Q2N2219 کتابخانه Bipolar انتخاب کرده محیط کار قرار دهیم سپس توسط گزینه Place wire مدار ترسیم کنیم زمین نام O/Source مشخص شده جای مناسب قرار دهیم ظرفیت مقاومت خازن دابل کلیک کردن روی مقدار ظرفیتی پیش انتخاب شده مقدار ظرفیت نیاز وارد کنیم منبع ولتاژ سینوسی مقدار Freq=1K,VAMPL=10mv,Voff=0 دابل کلیک کردن روی انها مقدار لازم وارد کنیم استفاده (Vin) Place Netaliul (Voo) روی مدار مشخص کنیم.
بعد گزینه New Simulation Profile بالای انتخاب کرده سپس نامی انالیز انتخاب کنیم. وارد محیط انالیز شویم نوع انالیز Bias Point انتخاب کرده OK زنیم.
و سپس Run اجرا کنیم انتخاب گزینه بالای VCE VBE بدست اوریم.
و سپس فعال کردن گزینه I جریان IB IC IE بدست اوریم. سپس مدار حوزه زمان انالیز کنیم موارد زیر بدست اوریم. 1 IB IC IE 2 شکل موج ورودی اندازه 3 شکل موج خروجی اندازه 4 محاسبه ضریب تقویت ولتاژ 5 محاسبه مقاومت خروجی تقویت کننده 6 ضریب تقویت جریان 7 مقاومت ورودی تقویت کننده انالیز حو

  متن بالا فقط تکه محتوی متن مقاله میباشد صورت نمونه در درج شدهاست.شما بعد پرداخت انلاین ،فایل فورا دانلود نمایید 

 


  لطفا نکات زیر هنگام خرید دانلود مقاله :  توجه فرمایید.

  • در مطلب،محتوی متن اولیه قرار داده شده است.
  • به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در ورد وجود ندارد،در صورتی مایل دریافت  تصاویری قبل خرید هستید، توانید پشتیبانی تماس حاصل فرمایید.
  • پس پرداخت هزینه ،ارسال انی مقاله تحقیق نظر خرید شده ، ادرس ایمیل شما لینک دانلود فایل شما نمایش داده خواهد شد.
  • در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی متون بالا ،دلیل کپی کردن مطالب داخل متن میباشد ودر فایل اصلی ورد،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد.
  • در صورتی محتوی متن داری جدول عکس باشند متون قرار نخواهند گرفت.
  • هدف اصلی فروشگاه ، کمک سیستم اموزشی میباشد.

دانلود فایل   پرداخت انلاین