فرمت فایل : پاورپوینت
تعداد اسلاید : 9 اسلاید
Y FLASH حافظه زیر نظر :
استاد مهندس سلطانی تنظیم :
افسانه عبدی حافظه الکترونیکی اهداف متفاوت اشکال گوناگون تاکنون طراحی عرضه شده اند.
حافظه فلش ، یک نمونه حافظه الکترونیکی بوده که ذخیره سازی اسان سریع اطلاعات در
دستگاههائی نظیر : دوربین دیجیتال ، کنسول بازیهای کامپیوتری ... استفاده گردد. حافظه فلش
اغلب مشابه یک هارد استفاده گردد حافظه اصلی . تجهیزات زیر حافظه فلش استفاده گردد : · تراشهBIOS موجود کامپیوتر · CompactFlash که دوربین دیجیتال استفاده گردد . · SmartMedia که اغلب دوربین دیجیتال استفاده گردد · Memory Stick که اغلب دوربین دیجیتال استفاده گردد . · کارت حافظه PCMCIA نوع I II · کارت حافظه کنسول بازیهای ویدئویی
حافظه الکترونیکی حافظه فلاش یک نوع خاص تراشه EEPROM . حافظه فوق شامل شبکه مشتمل سطر
ستون . محل تقاطع هر سطر ستون دو ترانزیستور استفاده گردد. دو ترانزیستور فوق
توسط یک لایه نازک اکسید یکدیگر جدا شده اند. یکی ترانزیستورها Floating gate دیگری Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا" سطر (WordLine) متصل . زمانیکه لینک فوق وجود داشته باشد سلول مربوطه مقدار یک ذخیره خواهد بود. بمنظور تغییر مقدار یک صفر فرایندی نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده گردد.
Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون Floating gate استفاد شود. یک شارژ الکتریکی حدود 10 13 ولت floating gate داده شود. شارژ ستون شروع ( bitline) سپس floating gate خواهد رسید .در نهایت شارژ فوق تخلیه گردد( زمین ) .شارژ فوق باعث گردد که ترانزیستور floating gate مشابه یک "پخش کننده الکترون " رفتار نماید . الکترون مازاد فشرده شده سمت دیگر لایه اکسید دام افتاد یک شارژ منفی باعث گردند.
الکترون شارژ شده منفی ، بعنوان یک عایق بین control gate floating gate رفتار نمایند.دستگاه خاصی. مبانی حافظه فلش نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده floating gate مونیتور خواهد کرد. صورتیکه جریان گیت بیشتر 50 درصد شارژ باشد ، اینصورت مقدار یک دارا خواهد بود.زمانیکه شارژ پاس داده شده 50 درصد استانه عدول نموده مقدار صفر تغییر پیدا خواهد کرد.یک تراشه EEPROM دارای گیت هائی که تمام انها باز بوده هر سلول مقدار یک دارا است
در نوع حافظه ( فلش) ، بمنظور حذف مدارات پیش بینی شده زمان طراحی ( بکمک ایجاد یک میدان الکتریکی) استفاده گردد. حالت توان تمام بخش خاصی تراشه که " بلاک " نامیده شوند، حذف کرد.این نوع حافظه نسبت حافظه EEPROM سریعتر ، چون داده طریق بلاک هائی که معمولا" 512 بایت باشند ( جای یک بایت هر لحظه ) نوشته گردند.
فلش دیسک فلش درایو ، یکی جدیدترین دستگاه ذخیره سازی اطلاعات توجه ویژگی های
متن بالا فقط تکه محتوی متن پاورپوینت میباشد صورت نمونه در درج شدهاست.شما بعد پرداخت انلاین فایل فورا دانلود نمایید